設計晶振時(shí)需注意的事項！

1.使晶振、外部電容器（如果有）與IC之間的信號線(xiàn)盡可能保持最短。當非常低的電流通過(guò)IC晶振振蕩器時(shí)，如果線(xiàn)路太長(cháng)，會(huì )使它對EMC 、ESD與串擾產(chǎn)生非常敏感的影響。而且長(cháng)線(xiàn)路還會(huì )給振蕩器增加寄生電容。

2. 盡可能將其它時(shí)鐘線(xiàn)路與頻繁切換的信號線(xiàn)路布置在遠離晶振連接的位置。

3.當心晶振和地的走線(xiàn)

4.將晶振外殼接地

“晶振的這兩個(gè)匹配電容的主要作用是對晶體和振蕩電路的補償和匹配，使電路易于啟振并處于合理的激勵態(tài)下，同時(shí)對振蕩頻率也有一定的“微調”作用。貼片晶振的過(guò)激勵或欠激勵雖可工作，但前者使晶振容易老化，影響使用壽命，并導致振蕩電路的EMC特性變劣；而后者則導致晶振不易啟振，工作較難穩定。所以電容容量的大小會(huì )輕微影響振蕩頻率的高低、振蕩器工作的穩定性、起振的難易程度及溫度穩定性等。供參考?！?“如果你說(shuō)的晶振是芯片兩個(gè)引腳上跨接一個(gè)石英晶體的那種電路,在芯片內部那兩個(gè)引腳之間,實(shí)際上是一個(gè)反相器.這種電路是一個(gè)電容三點(diǎn)式振蕩器,石英晶體等效于并聯(lián)LC諧振器.兩個(gè)引腳到地的兩個(gè)電容就是電容三點(diǎn)電路的分壓電容,地線(xiàn)就是分壓點(diǎn).所以這兩個(gè)電容的比例形成電容三點(diǎn)式振蕩器的正反饋系數,即振蕩條件.因為芯片引腳本身到地有一個(gè)10到幾十PF的分布電容,外接的電容是并聯(lián)相加在這個(gè)分布電容上的, 所以你少接一個(gè)或兩個(gè)電容都不接并不等于沒(méi)有電容分壓,尤其在振蕩頻率較高時(shí),10 PF的分布電容可能已經(jīng)是或接近夠用的了.芯片廠(chǎng)家并不知道你用的頻率,所以一般都說(shuō)明要接兩個(gè)電容到地,但有時(shí)也專(zhuān)門(mén)設計內部對地電容,減小外接電容的值以至可以不接.同時(shí)正如一些網(wǎng)友指出這些電容是并聯(lián)在石英晶體上的,可以微調和影響振蕩的頻率?！?

晶體具有兩種諧振模式：串聯(lián)(兩個(gè)頻率中的低頻率)和并聯(lián)(反諧振，兩個(gè)頻率中的高頻率)。所有在振蕩電路中呈現純阻性時(shí)的晶體都表現出兩種諧振模式。在串聯(lián)諧振模式中，動(dòng)態(tài)電容的容抗Cm、感抗Lm相等且極性相反，阻抗最小。在反諧振點(diǎn)。阻抗卻是最大的，電流是最小的。在振蕩器應用中不使用反諧振點(diǎn)。