晶振、電容和電阻三者有什么關(guān)系？

晶振和電容的關(guān)系

大家都知道電容的基本作用就是充電和放電，那么在晶振下的負載電容，又跟晶振是怎樣的關(guān)系呢？

如果工程師在選購晶振時(shí)，最好把所需的負載電容等重要參數，也跟采購說(shuō)明；那么采購在晶振選型過(guò)程中，會(huì )減少很多選型彎路。晶振的負載不能確認的話(huà)，電容很難匹配，起振電容無(wú)法充電放電，晶振也就起振不了；當分布電容與晶振電容值是相等時(shí)，就可以讓晶振發(fā)出諧振頻率了。電容大小能影響晶振頻率的穩定度和相位，越小價(jià)格也會(huì )越高。所以這個(gè)負載還決定著(zhù)這個(gè)其晶振本身的一個(gè)價(jià)格。

晶振和電阻的關(guān)系

1、配合IC內部電路組成負反饋、移相,使放大器工作在線(xiàn)性區

晶振輸入輸出連接的電阻作用是產(chǎn)生負反饋，保證放大器工作在高增益的線(xiàn)性區，同時(shí)起到限流的作用，防止反向器輸出對晶振過(guò)驅動(dòng)，損壞晶振。這個(gè)電阻是為了使本來(lái)為邏輯反相器的器件工作在線(xiàn)性區, 以獲得增益, 在飽和區是沒(méi)有增益的, 而沒(méi)有增益是無(wú)法振蕩的. 如果用芯片中的反相器來(lái)作振蕩, 必須外接這個(gè)電阻, 對于CMOS而言可以是1M以上, 對于TTL則比較復雜, 視不同類(lèi)型(S,LS...)而定. 如果是芯片指定的晶振引腳, 如在某些微處理器中, 常?？梢圆患? 因為芯片內部已經(jīng)制作了。

2、晶振串聯(lián)的電阻常用來(lái)預防晶振被過(guò)分驅動(dòng)

晶振過(guò)分驅動(dòng)的后果是將逐漸損耗減少晶振的接觸電鍍，這將引起頻率的上升，并導致晶振的早期失效，又可以講drive level調整用。用來(lái)調整drive level和發(fā)振余裕度。

3、并聯(lián)降低諧振阻抗,使諧振器易啟動(dòng)

Xin和Xout的內部一般是一個(gè)施密特反相器,反相器是不能驅動(dòng)晶體震蕩的.因此,在反相器的兩端并聯(lián)一個(gè)電阻,由電阻完成將輸出的信號反向180度反饋到輸入端形成負反饋,構成負反饋放大電路.晶體并在電阻上,電阻與晶體的等效阻抗是并聯(lián)關(guān)系,并聯(lián)降低諧振阻抗,使諧振器易啟動(dòng)；

電阻的作用是將電路內部的反向器加一個(gè)反饋回路，形成放大器，當晶體并在其中會(huì )使反饋回路的交流等效按照晶體頻率諧振，由于晶體的Q值非常高，因此電阻在很大的范圍變化都不會(huì )影響輸出頻率。